Intel, 18A-P üretim sürecini duyurdu: 18A'ya göre yüzde 9 daha hızlı

Intel'e göre 18A-P, aynı güç tüketiminde yüzde 9 daha yüksek performans veya aynı performans seviyesinde yüzde 18 daha düşük güç tüketimi sunabiliyor. Şirket, bu kazanımların standart ARM çekirdeği alt blokları üzerinde yapılan ölçümlere dayandığını belirtiyor. Yeni sürecin en dikkat çekici yeniliği ise "Power Boost" adı verilen teknoloji oldu.

18A-P, Intel'in Gate-All-Around (GAA) transistör mimarisini ve PowerVia arka yüz güç dağıtım altyapısını kullanmaya devam ediyor. Ayrıca mevcut 18A tasarımlarıyla tamamen uyumlu olması sayesinde geliştiriciler mevcut IP bloklarını ve tasarım akışlarını yeniden kullanabilecek. Şirket, yeni süreçte termal performansın da iyileştirildiğini belirtiyor. Malzeme ve tasarım tarafındaki yenilikler sayesinde termal dirençte yüzde 20 ila yüzde 40 arasında gelişme sağlanırken, katmanlar arası bağlantılarda kullanılan via yapılarının direncinde de yüzde 10 ila yüzde 30 oranında düşüş elde edilmiş durumda.

18A-P'nin bir diğer önemli avantajı ise PowerVia teknolojisinin sağladığı alan tasarrufu. Güç dağıtımının yonganın arka yüzüne taşınması sayesinde ön taraftaki bağlantı yoğunluğu azaltılıyor. Intel, bu yaklaşımın yüzde 11'e kadar alan tasarrufu sağlayabildiğini ve daha kısa bağlantılar sayesinde verimliliği artırdığını söylüyor.

Şirket aynı etkinlikte 300 mm GaN tabanlı güç yönetimi çözümleri, 45 nm kapı aralığına sahip CFET yapıları ve hava boşluklu rutenyum bağlantılar gibi geleceğe yönelik araştırmalarını da sergiledi. Öte yandan Intel, Computex 2026 kapsamında tanıttığı yeni nesil Xeon işlemcileri olan Intel Xeon Diamond Rapids ailesinin de 18A-P sürecinde üretileceğini doğrulamıştı.