Çiplerde dikey mimari çağı başlıyor; Yeni çalışma Moore Yasası'nın ömrünü uzatabilir

🔬 Bilim 📰 Donanım Haber 🕐 3 gün önce
Çiplerde dikey mimari çağı başlıyor; Yeni çalışma Moore Yasası'nın ömrünü uzatabilir

Araştırmacılar, silikon transistörleri üst üste yerleştirmeyi mümkün kılan yeni bir yöntem geliştirdi. Bu teknoloji, daha güçlü ve enerji verimli 3D çiplerin önünü açabilir.

Sıkı bir beyaz perde takipçisi olan Erdem, DonanımHaber'de sinema ve dizi sektörüne dair haberleri kaleme alıyor.

Ancak bugüne kadar üç boyutlu çiplerin önündeki en büyük engellerden biri üretim süreci oldu. Çünkü modern silikon transistörlerin üretilebilmesi için yaklaşık 1000 dereceye ulaşan yüksek sıcaklıklar gerekiyor. Buna karşın çip içerisindeki metal bağlantılar bu sıcaklıklara dayanamadığı için, yeni katmanlar eklenirken alttaki devrelerin zarar görme riski ortaya çıkıyor. Bu nedenle araştırmacılar yıllardır yüksek performanslı silikon transistörleri üst üste yerleştirmenin pratik bir yolunu bulmaya çalışıyor.

Illinois Üniversitesi'nde görevli araştırmacılar, şimdi bu sorunu ortadan kaldıracak yeni bir yöntem geliştirmiş olabilir. Nature dergisinde yayımlanan araştırmaya göre ekip, geleneksel üretim tekniklerinden farklı olarak son derece ince silikon nanomembranlar kullanarak çok katmanlı çipler üretmeyi başardı. Araştırmacıların kullandığı silikon tabakalar 10 nanometreden bile ince. Bu ultra ince katmanlar, özel bir silikon yüzeyden ayrılarak daha önce üretilmiş devrelerin üzerine aktarılıyor. Üstelik bu işlem 200 derecenin altında gerçekleştirildiği için alttaki metal bağlantılar zarar görmüyor. Böylece uzun yıllardır üç boyutlu çip tasarımlarının önündeki en önemli teknik engellerden biri aşılmış oluyor.

Araştırma ekibi bununla da yetinmedi; geleneksel transistör üretiminde kullanılan ve yüksek sıcaklık gerektiren bazı süreçleri tamamen ortadan kaldıran "junctionless" adı verilen farklı bir transistör mimarisi geliştirdi. Bu tasarım sayesinde transistörlerin çalışabilmesi için sonradan yüksek sıcaklıkta işlem uygulanmasına gerek kalmıyor. Böylece üretim süreci boyunca sıcaklık sınırları korunurken, performanstan da taviz verilmemiş oluyor.

Araştırmacılar geliştirdikleri yöntemle üç farklı silikon katmanını üst üste yerleştirerek çalışan devreler üretmeyi başardı. Her katmanda 625 transistör bulunurken, üretim verimliliğinin yüzde 98 ila 100 seviyesine ulaştığı belirtiliyor. Daha da önemlisi, geliştirilen transistörlerin performansının geleneksel yüksek sıcaklıkta üretilen silikon transistörlerle rekabet edebildiği söyleniyor.

Nvidia, RTX Spark’ı tanıttı: Üretilmiş en verimli PC yongası 18 sa. önce eklendi

#araştırma#teknoloji#çip

📌 Kaynak

Bu özet Donanım Haber kaynağından otomatik derlenmiştir. Tamamı için orijinal habere gidin.

Orijinal haberi oku →
← Tüm haberlere dön